onsemi (Ansemi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
MBRS1100T3G
100V 1A 750mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V
Número de pieza
MBRS1100T3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMB (DO-214AA)
Embalaje
taping
Número de paquetes
2500
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. The Schottky diode's advanced geometry employs oxide passivation and epitaxy with metal-covered contacts. The device is suitable for low-voltage, high-frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 80856 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deMBRS1100T3G
MBRS1100T3G Componentes electrónicos
MBRS1100T3G Ventas
MBRS1100T3G Proveedor
MBRS1100T3G Distribuidor
MBRS1100T3G Tabla de datos
MBRS1100T3G Fotos
MBRS1100T3G Precio
MBRS1100T3G Oferta
MBRS1100T3G El precio más bajo
MBRS1100T3G Buscar
MBRS1100T3G Adquisitivo
MBRS1100T3G Chip