onsemi (Ansemi)
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PCFFS20120AF 1.23kV 20A 1.732V@20A SiC diode, 1200V, 20A, bare die

PCFFS20120AF

1.23kV 20A 1.732V@20A SiC diode, 1200V, 20A, bare die
Número de pieza
PCFFS20120AF
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
TO-247
Embalaje
bagged
Número de paquetes
1
Descripción
Silicon carbide (SiC) Schottky diode uses a new technology that can provide excellent switching performance and has higher reliability than silicon. Silicon carbide's no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance make it a next-generation power semiconductor product. System benefits include highest energy efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
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