onsemi (Ansemi)
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SBRA8160T3G
60V 1A 720mV@1A 60V, 1.0A, Schottky diode
Número de pieza
SBRA8160T3G
Categoría
diode > Schottky diode
Fabricante/Marca
onsemi (Ansemi)
Encapsulación
SMA
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
The Schottky diode uses the Schottky diode potential barrier principle and adopts a large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. The Schottky diode is suitable for low voltage, high frequency rectification, or applications employing freewheeling and polarity protection diodes, where compact size and weight are critical to the system.
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