VBsemi (Wei Bi)
La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Si3407DV-T1-GE3-VB
P-channel 30V 4.8A
Número de pieza
Si3407DV-T1-GE3-VB
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulación
SOT-23-6
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 89293 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Fully integrated IEEE 802.3 Type1 compliant POE PD interface High efficiency switching regulator with compact footprint
SILICON LABS
Palabras clave deSi3407DV-T1-GE3-VB
Si3407DV-T1-GE3-VB Componentes electrónicos
Si3407DV-T1-GE3-VB Ventas
Si3407DV-T1-GE3-VB Proveedor
Si3407DV-T1-GE3-VB Distribuidor
Si3407DV-T1-GE3-VB Tabla de datos
Si3407DV-T1-GE3-VB Fotos
Si3407DV-T1-GE3-VB Precio
Si3407DV-T1-GE3-VB Oferta
Si3407DV-T1-GE3-VB El precio más bajo
Si3407DV-T1-GE3-VB Buscar
Si3407DV-T1-GE3-VB Adquisitivo
Si3407DV-T1-GE3-VB Chip