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AOC4810
MOSFET 2N-CH 8-DFN
Número de pieza
AOC4810
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-XFLGA Exposed Pad
Potencia - Máx.
900mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-AlphaDFN (3.2x2)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
-
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1130pF @ 15V
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