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AON1605_001

AON1605_001

MOSFET P-CH 20V 0.7A 3DFN
Número de pieza
AON1605_001
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-UFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
3-DFN (1.0 x 0.60)
Disipación de energía (máx.)
900mW (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
700mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
710 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
750nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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