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AON5810

AON5810

MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Número de pieza
AON5810
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Potencia - Máx.
1.6W
Paquete de dispositivo del proveedor
6-DFN-EP (2x5)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.7A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1360pF @ 10V
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