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AON7200_101

AON7200_101

MOSFET N-CH DFN
Número de pieza
AON7200_101
Serie
-
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
8-DFN-EP (3x3)
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 62W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
15.8A (Ta), 40A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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