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AOSD62666E
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Número de pieza
AOSD62666E
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2.5W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
755pF @ 30V
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