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CXDM1002N TR
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CXDM1002N TR

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Número de pieza
CXDM1002N TR
Fabricante/Marca
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-89
Disipación de energía (máx.)
1.2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
20V
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