Central Semiconductor Corp
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CXDM6053N TR
Hojas de datos

CXDM6053N TR

MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Número de pieza
CXDM6053N TR
Fabricante/Marca
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-89
Disipación de energía (máx.)
1.2W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
20V
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