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C2M0045170P
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Número de pieza
C2M0045170P
Fabricante/Marca
Serie
C2M™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-4
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247-4L
Disipación de energía (máx.)
520W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1700V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
72A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 18mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
188nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3672pF @ 1000V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
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