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C2M1000170J

C2M1000170J

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Número de pieza
C2M1000170J
Fabricante/Marca
Serie
C2M™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-7 (Straight Leads)
Paquete de dispositivo del proveedor
D2PAK (7-Lead)
Disipación de energía (máx.)
78W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1700V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.3A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.1V @ 500µA (Typ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 1000V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
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