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CG2H80030D-GP4
RF MOSFET HEMT 28V DIE
Número de pieza
CG2H80030D-GP4
Fabricante/Marca
Serie
GaN
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tray
Voltaje - Nominal
84V
Frecuencia
8GHz
Paquete / Estuche
Die
Valoración actual
-
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Salida de potencia
30W
Tipo de transistor
HEMT
Ganar
16.5dB
Voltaje - Prueba
28V
Figura de ruido
-
Actual - Prueba
200mA
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