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CGHV1F006S
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Número de pieza
CGHV1F006S
Fabricante/Marca
Serie
GaN
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Voltaje - Nominal
100V
Frecuencia
6GHz
Paquete / Estuche
12-VFDFN Exposed Pad
Valoración actual
950mA
Paquete de dispositivo del proveedor
12-DFN (4x3)
Salida de potencia
8W
Tipo de transistor
HEMT
Ganar
16dB
Voltaje - Prueba
40V
Figura de ruido
-
Actual - Prueba
60mA
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