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CPMF-1200-S080B
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Número de pieza
CPMF-1200-S080B
Fabricante/Marca
Serie
Z-FET™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Disipación de energía (máx.)
313mW (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
50A (Tj)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
90.8nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1915pF @ 800V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
20V
Vgs (máx.)
+25V, -5V
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