Comprar Diodes Incorporated DMT10H010LCT MOSFET N-CH 100V TO220AB

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DMT10H010LCT

MOSFET N-CH 100V TO220AB

Número de pieza

DMT10H010LCT

Fabricante/Marca

Diodes Incorporated

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

2W (Ta), 139W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

98A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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