Comprar Diodes Incorporated HTMN5130SSD-13 MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

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HTMN5130SSD-13

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

Número de pieza

HTMN5130SSD-13

Fabricante/Marca

Diodes Incorporated

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

1.7W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.6A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

218.7pF @ 25V

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