La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Número de pieza
EPC8009
Fabricante/Marca
Serie
eGaN®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Disipación de energía (máx.)
-
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
65V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.7A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
52pF @ 32.5V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 42450 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deEPC8009
EPC8009 Componentes electrónicos
EPC8009 Ventas
EPC8009 Proveedor
EPC8009 Distribuidor
EPC8009 Tabla de datos
EPC8009 Fotos
EPC8009 Precio
EPC8009 Oferta
EPC8009 El precio más bajo
EPC8009 Buscar
EPC8009 Adquisitivo
EPC8009 Chip