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2N7636-GA
TRANS SJT 650V 4A TO276
Número de pieza
2N7636-GA
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-276AA
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-276
Disipación de energía (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
-
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
650V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4A (Tc) (165°C)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
415 mOhm @ 4A
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
324pF @ 35V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
-
Vgs (máx.)
-
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