Comprar GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 TRANS SJT 1200V 160A SOT227

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GA100JT12-227

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Número de pieza

GA100JT12-227

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor

SOT-227

Disipación de energía (máx.)

535W (Tc)

Tipo FET

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

160A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 100A

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 800V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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