Comprar GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

GA10SICP12-263

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Número de pieza

GA10SICP12-263

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK (7-Lead)

Disipación de energía (máx.)

170W (Tc)

Tipo FET

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

25A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 10A

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1403pF @ 800V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 11425 PCS

Información del contacto