Comprar GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 TRANS SJT 600V 100A

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GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A

Número de pieza

GA50JT06-258

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tecnología

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 225°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-258-3, TO-258AA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-258

Disipación de energía (máx.)

769W (Tc)

Tipo FET

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

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