Comprar GeneSiC Semiconductor MBR400200CT DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

MBR400200CT

DIODE SCHOTTKY 200V 200A 2 TOWER

Número de pieza

MBR400200CT

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

Twin Tower

Paquete de dispositivo del proveedor

Twin Tower

Tipo de diodo

Schottky

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

920mV @ 200A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

3mA @ 200V

Configuración de diodo

1 Pair Common Cathode

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

200V

Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo)

200A

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 52744 PCS

Información del contacto