Comprar GeneSiC Semiconductor MBR600150CT DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

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MBR600150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Número de pieza

MBR600150CT

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

Twin Tower

Paquete de dispositivo del proveedor

Twin Tower

Tipo de diodo

Schottky

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

880mV @ 300A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

3mA @ 150V

Configuración de diodo

1 Pair Common Cathode

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

150V

Corriente - Promedio rectificado (Io) (por diodo)

300A

Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 150°C

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