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HTNFET-D
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Número de pieza
HTNFET-D
Fabricante/Marca
Serie
HTMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
8-CDIP Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
8-CDIP-EP
Disipación de energía (máx.)
50W (Tj)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
55V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 28V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
5V
Vgs (máx.)
10V
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