Comprar Infineon Technologies AUXAKF1405ZS-7P MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

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AUXAKF1405ZS-7P

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Número de pieza

AUXAKF1405ZS-7P

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Paquete de dispositivo del proveedor

D2PAK (7-Lead)

Disipación de energía (máx.)

230W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

120A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.9 mOhm @ 88A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5360pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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