Comprar Infineon Technologies BSB012N03LX3 G MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

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Hojas de datos

BSB012N03LX3 G

MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

Número de pieza

BSB012N03LX3 G

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-WDSON

Paquete de dispositivo del proveedor

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

39A (Ta), 180A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

169nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

16900pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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