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BSB053N03LP G

BSB053N03LP G

MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Número de pieza
BSB053N03LP G
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-WDSON
Paquete de dispositivo del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Disipación de energía (máx.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
17A (Ta), 71A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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