Comprar Infineon Technologies BSB165N15NZ3GXUMA1 MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

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Hojas de datos

BSB165N15NZ3GXUMA1

MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2

Número de pieza

BSB165N15NZ3GXUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-WDSON

Paquete de dispositivo del proveedor

MG-WDSON-2, CanPAK M™

Disipación de energía (máx.)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

9A (Ta), 45A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

16.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 110µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 75V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

8V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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