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BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Número de pieza
BSC100N06LS3GATMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Ta), 50A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 23µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 30V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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