Comprar Infineon Technologies BSC882N03LSGATMA1 MOSFET N-CH TDSON-8

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BSC882N03LSGATMA1

MOSFET N-CH TDSON-8

Número de pieza

BSC882N03LSGATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

Paquete de dispositivo del proveedor

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

34V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3700pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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