Comprar Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

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BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Número de pieza

BSG0810NDIATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 155°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Potencia - Máx.

2.5W

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TISON-8

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Función FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

19A, 39A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1040pF @ 12V

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