Comprar Infineon Technologies BSP603S2LHUMA1 MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

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BSP603S2LHUMA1

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

Número de pieza

BSP603S2LHUMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-261-4, TO-261AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223-4

Disipación de energía (máx.)

1.8W (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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