Comprar Infineon Technologies BSS119 E7796 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

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BSS119 E7796

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Número de pieza

BSS119 E7796

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT23-3

Disipación de energía (máx.)

360mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

170mA (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.3V @ 50µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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