Comprar Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

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Hojas de datos

BSS806NEH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23

Número de pieza

BSS806NEH6327XTSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, HEXFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT23-3

Disipación de energía (máx.)

500mW (Ta)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2.3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

57 mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

0.75V @ 11µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 2.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

529pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

1.8V, 2.5V

Vgs (máx.)

±8V

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