Comprar Infineon Technologies BSZ018NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

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Hojas de datos

BSZ018NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8

Número de pieza

BSZ018NE2LSATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerTDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TSDSON-8-FL

Disipación de energía (máx.)

2.1W (Ta), 69W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

23A (Ta), 40A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 12V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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