La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
BSZ0910NDXTMA1
DIFFERENTIATED MOSFETS
Número de pieza
BSZ0910NDXTMA1
Fabricante/Marca
Serie
OptiMOS™
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerVDFN
Potencia - Máx.
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-WISON-8
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 15V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 16954 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deBSZ0910NDXTMA1
BSZ0910NDXTMA1 Componentes electrónicos
BSZ0910NDXTMA1 Ventas
BSZ0910NDXTMA1 Proveedor
BSZ0910NDXTMA1 Distribuidor
BSZ0910NDXTMA1 Tabla de datos
BSZ0910NDXTMA1 Fotos
BSZ0910NDXTMA1 Precio
BSZ0910NDXTMA1 Oferta
BSZ0910NDXTMA1 El precio más bajo
BSZ0910NDXTMA1 Buscar
BSZ0910NDXTMA1 Adquisitivo
BSZ0910NDXTMA1 Chip