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DF200R12KE3HOSA1

DF200R12KE3HOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Número de pieza
DF200R12KE3HOSA1
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 125°C
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
Module
Potencia - Máx.
1040W
Configuración
Single
Paquete de dispositivo del proveedor
Module
Corriente - Colector (Ic) (Max)
-
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)
1200V
Corriente: corte del colector (máx.)
5mA
Tipo IGBT
-
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
14nF @ 25V
Aporte
Standard
Termistor NTC
No
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Palabras clave deDF200R12KE3HOSA1
DF200R12KE3HOSA1 Componentes electrónicos
DF200R12KE3HOSA1 Ventas
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