Comprar Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1 MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

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IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

Número de pieza

IPAN65R650CEXKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO220 Full Pack

Disipación de energía (máx.)

28W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Super Junction

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

650V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

10.1A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 210µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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