Comprar Infineon Technologies IPC218N04N3X1SA1 MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

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IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Número de pieza

IPC218N04N3X1SA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

Die

Paquete de dispositivo del proveedor

Sawn on foil

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

40V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2A (Tj)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 200µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

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