Comprar Infineon Technologies IPI100N06S3L04XK MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

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IPI100N06S3L04XK

MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Número de pieza

IPI100N06S3L04XK

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO262-3

Disipación de energía (máx.)

214W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

55V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 150µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

362nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

17270pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

5V, 10V

Vgs (máx.)

±16V

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