Comprar Infineon Technologies IPI90R1K0C3XKSA1 MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

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IPI90R1K0C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-262

Número de pieza

IPI90R1K0C3XKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO262-3

Disipación de energía (máx.)

89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

900V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.7A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1 Ohm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 370µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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