Comprar Infineon Technologies IPN80R1K4P7ATMA1 MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223

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Hojas de datos

IPN80R1K4P7ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223

Número de pieza

IPN80R1K4P7ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-223-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223

Disipación de energía (máx.)

7W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

800V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 70µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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