Comprar Infineon Technologies IPN95R3K7P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

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IPN95R3K7P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Número de pieza

IPN95R3K7P7ATMA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

SOT-223-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-SOT223

Disipación de energía (máx.)

6W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

950V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.7 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 40µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

196pF @ 400V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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