Comprar Infineon Technologies IPP50R190CEXKSA1 MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

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IPP50R190CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220

Número de pieza

IPP50R190CEXKSA1

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO-220-3

Disipación de energía (máx.)

127W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

500V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

18.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 6.2A, 13V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 510µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

47.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1137pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

13V

Vgs (máx.)

±20V

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