Comprar Infineon Technologies IPSH4N03LA G MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

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IPSH4N03LA G

MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

Número de pieza

IPSH4N03LA G

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Paquete de dispositivo del proveedor

PG-TO251-3

Disipación de energía (máx.)

94W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

90A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 40µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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