Comprar Infineon Technologies IRF200P222 MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

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IRF200P222

MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

Número de pieza

IRF200P222

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-247AC

Disipación de energía (máx.)

556W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

182A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 82A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 270µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

203nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9820pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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