La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Número de pieza
IRF5210PBF
Fabricante/Marca
Serie
HEXFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
40A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 29497 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF5210PBF
IRF5210PBF Componentes electrónicos
IRF5210PBF Ventas
IRF5210PBF Proveedor
IRF5210PBF Distribuidor
IRF5210PBF Tabla de datos
IRF5210PBF Fotos
IRF5210PBF Precio
IRF5210PBF Oferta
IRF5210PBF El precio más bajo
IRF5210PBF Buscar
IRF5210PBF Adquisitivo
IRF5210PBF Chip