La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Número de pieza
IRF510PBF
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Disipación de energía (máx.)
43W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 37090 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIRF510PBF
IRF510PBF Componentes electrónicos
IRF510PBF Ventas
IRF510PBF Proveedor
IRF510PBF Distribuidor
IRF510PBF Tabla de datos
IRF510PBF Fotos
IRF510PBF Precio
IRF510PBF Oferta
IRF510PBF El precio más bajo
IRF510PBF Buscar
IRF510PBF Adquisitivo
IRF510PBF Chip